［25日 ロイター］ – 米国IBMは25日、世界初となる1ナノメートル未満の半導体製造技術を発表した。
IBMによると、0．7ナノメートルの半導体は爪ほどのサイズのチップ上に約1000億個のトランジスタを集積できる。「ナノスタック」と呼ばれる新たなトランジスタ設計で、トランジスタを平坦に並べるのではなく、3次元に積載。2021年に発表した2ナノメートルの半導体の約2倍の密度となり、最大で50％の性能向上、または70％のエネルギー効率の向上が実現するという。
IBMリサーチのディレクター、ジェイ・ガンベッタ氏は「新たなナノスタック構造によって、トランジスタの小型化のみならず、半導体の構築方法を再発明し劇的に高い処理能力とエネルギー効率を提供する」と述べた。
IBMは、5年以内に生産を開始できる可能性があるとしている。同社はこれまで、韓国サムスン電子や日本のラピダスに半導体技術をライセンス供与してきた。今回の技術についての製造パートナーは発表していない。
半導体メーカーは、ますます高負荷になる人工知能（AI）の作業を処理できる半導体の開発を競っている。インテルは先週、1．8ナノメートルの半導体を製造する次世代の製造プロセス「18A」が、商業生産前の試験段階であるリスク生産に移行したと発表した。